IDT70T3719/99M
High-Speed 2.5V 256/128K x 72 Dual-Port Synchronous Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Read Cycle for Pipelined Operation
( FT /PIPE 'X' = V IH ) (1,2)
t CYC2
CLK
CE 0
t CH2
t CL2
t SC
t HC
t SC
t HC
(3)
CE 1
t SB
t HB
t SB
t HB
BE n
R/ W
t SW t HW
(5)
t SA
t HA
ADDRESS
(4)
An
An + 1
An + 2
An + 3
(1 Latency)
t CD2
t DC
DATA OUT
OE
(1)
t CKLZ
(1)
Qn
Qn + 1
t OHZ
t OLZ
t OE
Qn + 2
(5)
,
5687 drw 05
Timing Waveform of Read Cycle for Flow-through Output
( FT /PIPE "X" = V IL ) (1,2,6)
t CYC1
CLK
CE 0
t CH1
t CL1
t SC
t HC
t SC
t HC
CE 1
t SB
t HB
(3)
BE n
R/ W
t SW t HW
t SA
t HA
t SB
t HB
ADDRESS
(4)
An
An + 1
An + 2
An + 3
t CD1
t DC
t CKHZ
DATA OUT
Qn
Qn + 1
Qn + 2
(5)
t CKLZ
t OHZ
t OLZ
t DC
NOTES:
OE
(1)
t OE
5687 drw 06
,
1. OE is asynchronously controlled; all other inputs depicted in the above waveforms are synchronous to the rising clock edge.
2. ADS = V IL , CNTEN and REPEAT = V IH .
3. The output is disabled (High-Impedance state) by CE 0 = V IH , CE 1 = V IL , BE n = V IH following the next rising edge of the clock. Refer to
Truth Table 1.
4. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = V IL constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers
are for reference use only.
5. If BE n was HIGH, then the appropriate Byte of DATA OUT for Qn + 2 would be disabled (High-Impedance state).
6. "x" denotes Left or Right port. The diagram is with respect to that port.
11
6.42
相关PDF资料
IDT70T633S10BCI IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA
IDT70T651S12DRI IC SRAM 9MBIT 12NS 208QFP
IDT70T653MS12BCI IC SRAM 18MBIT 12NS 256BGA
IDT70V05L55G IC SRAM 64KBIT 55NS 68PGA
IDT70V06L55G IC SRAM 128KBIT 55NS 68PGA
IDT70V07L35G IC SRAM 256KBIT 35NS 68PGA
IDT70V08S15PF IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP
IDT70V09L20PFI IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP
相关代理商/技术参数
IDT70T3799MS133BBG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 324BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3799MS133BBGI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 324BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3799MS166BBG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 324BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T631S10BC 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T631S10BC8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T631S10BCI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T631S10BCI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T631S10BF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)